菲律宾申博红太阳娱乐登入:正在阅读:台积电7nm EUV芯片流片成功 5nm芯片明年出样台积电7nm EUV芯片流片成功 5nm芯片明年出样

2018-10-11 00:15 出处:PConline原创 作者:贾晓边 责任编辑:lizhuohong
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  【PConline 资讯】近日,全球最大的芯片代工厂台积电宣布了两个消息,其一是是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作,二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。

  台积电是目前全球最大的芯片代工厂,主要客户包括了苹果、华为、AMD、NVIDIA以及高通等大家耳熟能详的科技巨头。目前台积电已经大规模量产了第一代7NM工艺(CLN7FF/N7),主要产品为苹果的A12芯片和华为的麒麟980芯片,但第一代7nm仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。

  近日台积电宣布成功量产的7nm工艺则是CLNFF+/N7+,不过仅限四个非关键层,以降低风险、加速投产,也借此熟练掌握ASML的新式光刻机Twinscan NXE,台积电宣称这能将晶体管密度提升20%,同等频率下功耗可降低6-12%。

  7nm之后,便是是5nm(CLN5FF/N5),将在多达14个层上应用EUV,首次全面普及,号称可比初代7nm工艺晶体管密度提升80%从而将芯片面积缩小45%,还可以同功耗频率提升15%,同频功耗降低20%。

  2019年4月,台积电的5nm EUV工艺将开始风险性试产,量产需要等到2020年第二季度开始。

  台积电5nm工艺的EDA设计工具将在今年11月提供,因此部分客户应该已经开始基于新工艺开发芯片了,不过随着半导体工艺越来越复杂,开发相应芯片也越来越费钱,目前估计平均得花费1.5亿美元,5nm时代可能要2-2.5亿美元。

  想到Intel前几日发布的9代酷睿依然采用14nm工艺,即使台积电的工艺有水分,但毫无疑问也领先Intel不少了,而且领先的幅度可能越来越大。

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